中低功率應(yīng)用(15～100W)通常使用低成本的單端正向或回掃拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來(lái)設(shè)計(jì)電源模塊，而推挽式、半橋和全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在功率更高的應(yīng)用(100～1000W)中很流行。中間總線架構(gòu)(IBA)是一種新型分布式總線標(biāo)準(zhǔn)，它利用一種低成本的非穩(wěn)壓(開(kāi)環(huán))中間總線式轉(zhuǎn)換器(IBC)將-48V通信總線轉(zhuǎn)換到+12V中間總線，從而通過(guò)使用低成本的負(fù)載點(diǎn)(POL)模塊簡(jiǎn)化板上電源設(shè)計(jì)。

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司最近發(fā)布了一系列新的高壓電源轉(zhuǎn)換數(shù)字特殊應(yīng)用集成電路(ASIC)，即LM5000系列，該系列提供了多種脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制器驅(qū)動(dòng)器芯片組，用于這些最新的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。這些芯片能承受高達(dá)100V的輸入電壓，滿足了通信系統(tǒng)電壓瞬態(tài)規(guī)范的應(yīng)力限制。其開(kāi)關(guān)頻率超過(guò)1MHz，與現(xiàn)有的解決方案相比，提高了電源效率，并成為眾多電源應(yīng)用的基準(zhǔn)。該系列從低成本的中功率正向拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(使用LM5025電壓模式有源鉗位PWM控制器)，到中功率IBA轉(zhuǎn)換器(使用LM5033半橋或推挽PWM)，再到最先進(jìn)、功率最高的級(jí)聯(lián)式電流饋電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(由LM5041和LM5100控制器驅(qū)動(dòng)器芯片組支持)，覆蓋了所有的功率級(jí)別。

新型IBA電源系統(tǒng)方法需要兩級(jí)轉(zhuǎn)換：首先是非穩(wěn)壓隔離級(jí)，然后是多個(gè)緊密調(diào)節(jié)的負(fù)載點(diǎn)板上安裝的DC/DC電源模塊。隔離級(jí)(稱作中間總線轉(zhuǎn)換器)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)一般是開(kāi)環(huán)、非穩(wěn)壓、自由運(yùn)行“直流變壓器”，被選擇用來(lái)隔離和降低總線電壓，同時(shí)保證低成本和高功率轉(zhuǎn)換效率(大于95%)。雙輸出LM5033 PWM控制器和LM5100半橋驅(qū)動(dòng)器構(gòu)成一個(gè)理想的芯片組解決方案，能將這些中間總線轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中需要的外部元件成本和數(shù)量降至最低。

圖1以典型的通信電源總線轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的LM5033/LM5100芯片組為例，在該設(shè)計(jì)中，40～60V輸入總線電壓通過(guò)一個(gè)隔離變壓器，向下轉(zhuǎn)換至10～15V中間總線電壓，并分配至下游安裝在板上的負(fù)載點(diǎn)模塊中。通過(guò)維持LM5033雙控制器的輸出在一個(gè)恒定的50%占空比，實(shí)現(xiàn)了最高的電源效率，這樣做降低了開(kāi)關(guān)FET和同步整流器上的電流和電壓應(yīng)力，同時(shí)改善了變壓器的線圈使用率。

IBA兩級(jí)架構(gòu)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是更傳統(tǒng)、使用回歸或正向拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的單級(jí)隔離電源。與那些用于IBA方法的緊密調(diào)節(jié)負(fù)載點(diǎn)模塊相比，這些電源雖然提供了富有競(jìng)爭(zhēng)力的成本和電源效率，但很難在多個(gè)輸出維持良好的穩(wěn)壓。

與標(biāo)準(zhǔn)的正向轉(zhuǎn)換器相比，有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器提供了更高的效率，而且在中功率應(yīng)用(50～200W)中更受歡迎。有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器采用了一個(gè)有源復(fù)位FET和電容器，在損耗最低的情況下使核心復(fù)位。鉗位電容器捕獲磁化能量和釋放能量，并把它們返回源極，從而提高了電源轉(zhuǎn)換效率。

圖2描繪了典型的48V單級(jí)通信電源設(shè)計(jì)中的LM5025有源鉗位正向控制器，其工作輸入電壓范圍是36～75V，額定輸出在3.3V時(shí)可高達(dá)100W。該控制器的兩路輸出直接驅(qū)動(dòng)N通道功率MOSFET和P通道復(fù)位MOSFET。這兩路驅(qū)動(dòng)器輸出的大小不同，主輸出產(chǎn)生較大的3A門(mén)極驅(qū)動(dòng)峰值電流，其目的是迅速開(kāi)關(guān)大功率MOSFET以便降低開(kāi)關(guān)損耗。復(fù)位MOSFET的輸出要小得多，這是因?yàn)樗粋鲗?dǎo)磁化電流，因此門(mén)極驅(qū)動(dòng)