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電磁拓?fù)浼跋到y(tǒng)間電磁的影響

2018-08-31 14:54:21 電力論文網(wǎng)  點(diǎn)擊量: 評(píng)論 (0)
電磁拓?fù)鋵W(xué)利用拓?fù)涞母拍顚⒁粋€(gè)復(fù) 雜的電子系統(tǒng)進(jìn)行分層降解,從而降低整個(gè)系統(tǒng)分析的復(fù)雜性。其基本思想是將 研究對(duì)象空間分解成不同大小的區(qū)域,各個(gè)區(qū)域之間通過(guò)系統(tǒng)的拓?fù)鋱D相聯(lián)系, 從而把整個(gè)復(fù)雜的電磁禍合問(wèn)題分解成相對(duì)獨(dú)立的簡(jiǎn)單的電磁問(wèn)題來(lái)解決。

電磁拓?fù)涞母拍钭钤缡窃诙兰o(jì)七十年代由Carl E. B~提出的,并與Tom K. Liu} Fred M. Tesche一起推導(dǎo)出了著名的BLT方程[[3](取三人姓氏的首字母命 名),該方程被認(rèn)為是電磁拓?fù)淅碚摰幕k姶磐負(fù)鋵W(xué)利用拓?fù)涞母拍顚⒁粋€(gè)復(fù)雜的電子系統(tǒng)進(jìn)行分層降解,從而降低整個(gè)系統(tǒng)分析的復(fù)雜性。其基本思想是將 研究對(duì)象空間分解成不同大小的區(qū)域,各個(gè)區(qū)域之間通過(guò)系統(tǒng)的拓?fù)鋱D相聯(lián)系, 從而把整個(gè)復(fù)雜的電磁禍合問(wèn)題分解成相對(duì)獨(dú)立的簡(jiǎn)單的電磁問(wèn)題來(lái)解決。

目前國(guó)外美國(guó)法國(guó)等國(guó)在在電磁拓?fù)浞ǖ难芯考航?jīng)成型并逐步完善,己經(jīng)成 功應(yīng)用于多個(gè)項(xiàng)目,主要用來(lái)檢測(cè)導(dǎo)彈、飛機(jī)和裝甲車(chē)等武器系統(tǒng)在高功率電磁 場(chǎng)作用下的敏感性評(píng)估。而國(guó)內(nèi)對(duì)電磁拓?fù)浞ǖ难芯可刑幱谔剿骱驼J(rèn)識(shí)階段,因 為該項(xiàng)技術(shù)屬于軍事機(jī)密,能夠檢索和參考的資料非常有限,核心技術(shù)理論急需 逐步建立與完善。國(guó)內(nèi)做相關(guān)研究的,主要為國(guó)防科技大學(xué),還有西安電子科技 大學(xué)等少數(shù)學(xué)者在進(jìn)行理論研究。

系統(tǒng)間電磁影響 考慮系統(tǒng)間的干擾問(wèn)題,即需要對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行電磁兼容預(yù)測(cè)。電磁兼容預(yù)測(cè)的 實(shí)質(zhì)是對(duì)電子系統(tǒng)的抗電磁干擾能力或電磁兼容性進(jìn)行預(yù)測(cè)。它旨在發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)中 不兼容的薄弱環(huán)節(jié)和評(píng)價(jià)系統(tǒng)的安全裕度,為系統(tǒng)的電磁兼容性設(shè)計(jì)及技術(shù)實(shí)現(xiàn) 提供科學(xué)、合理的依據(jù)。

它是實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電磁兼容性預(yù)測(cè)的必要步驟,是一種具有 較高的費(fèi)效比的工程技術(shù)手段。 為了對(duì)系統(tǒng)響應(yīng)進(jìn)行近似分析,拓?fù)涞母拍詈苤匾倪@個(gè)概念出發(fā)將一個(gè) 復(fù)雜的系統(tǒng)由入射場(chǎng)到終端響應(yīng)分割為一系列簡(jiǎn)單的部分,每一部分都是可以獨(dú) 立進(jìn)行分析的,再將每一部分的分析結(jié)果結(jié)合起來(lái)構(gòu)成對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的評(píng)估。

電磁拓?fù)涫欠治鱿到y(tǒng)內(nèi)部的EMI關(guān)系,電磁禍合式發(fā)生在系統(tǒng)之間的電磁能 量的關(guān)系。在進(jìn)行分析和設(shè)計(jì)時(shí),分析外界藕合渠道,通常是可以用轉(zhuǎn)移函數(shù)計(jì) 算出外干擾源在各個(gè)拓?fù)涿嫔系捻憫?yīng)強(qiáng)度,稱(chēng)為外界電磁場(chǎng)禍合。此時(shí),面上的 孔縫、天線(xiàn)、內(nèi)部的電子器件等都被忽略掉。

對(duì)于一個(gè)復(fù)雜的電子系統(tǒng),由于其具有不止一層電磁屏障表面,具有不同的 電磁屏蔽效能,因此其電磁禍合、投入和傳播的分析過(guò)程要反復(fù)進(jìn)行多次,直到 達(dá)到了系統(tǒng)分量等級(jí)。這個(gè)逼近或分析復(fù)雜系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的過(guò)程中允許把系統(tǒng)EMI過(guò) 程分解為一系列的簡(jiǎn)單的中間過(guò)程。這一分析步驟可表示為所需要的模型。對(duì)于外部電磁干擾作用在單層屏蔽體系統(tǒng)的情形,可以用電磁藕合順序圖表示,如下 圖所示。

并不是所有的電磁兼容問(wèn)題都包括外部干擾源。在屏蔽體內(nèi)部還有其他結(jié)構(gòu), 在內(nèi)部也可能包含干擾源,此時(shí)仍可以應(yīng)用電磁拓?fù)涓拍睿珣?yīng)增加互禍的步驟。 圖2.2是處理內(nèi)部禍合機(jī)制的互禍合順序圖。其中包含了干擾源和被干擾設(shè)備或系 統(tǒng)之間的輻射禍合或傳導(dǎo)禍合的可能性。

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