高效SiC器件不間斷電源整流模塊的研究與設計
第三章 不間斷電源整流模塊的控制系統 ...... 17
3.1 鎖相環 ......... 17
3.1.1 鎖相環基本原理 ............ 17
3.1.2 鎖相環的實現方法 ....... 18
3.2 空間矢量脈沖寬度調制 SVPWM ..... 19
3.3 電流內環控制器設計 ..... 27
3.4 電壓外環控制器設計 ..... 30
3.5 本章小結 ..... 34
第四章 系統設計與實現 .... 35
4.1 硬件系統設計 ....... 35
4.1.1 主電路設計 .......... 35
4.1.2 采樣電路設計 ...... 43
4.1.3 驅動電路設計 ...... 45
4.2 軟件系統設計 ....... 51
4.3 本章小結 ..... 54
第五章 實驗結果及分析 .... 55
第五章 實驗結果及分析
基于本文搭建的硬件平臺以及 TI 公司提供的代碼編寫平臺 Code Composer Studio,本文進行了大量的實驗,驗證了本文提出的改進型 PI 控制策略以及電感選型方法的正確性及有效性,并對 Si C MOSFET 整流模塊進行了初步的實驗研究。 為了方便觀察整流模塊的暫態響應,便于對軟硬件系統進行分析改進,本文在程序中建立了相關變量的數組,并通過 TMS320F28335 與個人電腦的通信,將相關數據傳輸到個人電腦上,通過 Code Composer Studio 提供的 Graph 功能將實驗過程中的相關變量的相應波形顯示出來。出于論文需要,最后利用 MATLB 對數據進行了處理。為表達簡便,下文中如無特別說明,實驗結果均指 IGBT 整流模塊實驗結果。 圖 5-1 為整流模塊啟動過程中 a 相電流響應波形,圖 5-2 為整流模塊啟動過程中直流電壓響應波形。從圖 5-1 和圖 5-2 的實驗結果中可以看出,整流模塊啟動過程中 a 相電流過渡平緩,沒有大的超超調出現,直流側輸出電壓同樣過渡平緩,沒有出現大的超調,且在大約 0.1s 的時間內系統已經達到了穩態,由此證明了本文提出的改進型 PI 控制策略可以有效解決整流模塊的啟動超調過大的問題且具有較快的響應速度。 圖 5-3 為啟動過程中 d 軸電流指令值drefI的波形,圖 5-4 為啟動過程中 d 軸電流dI波形。
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責任編輯:電力交易小郭