高效產(chǎn)業(yè)化MWT技術(shù)分析

2017-08-25 11:51:11 大云網(wǎng)　點擊量：評論 (0)

業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，未來有前景的晶體硅電池、組件的發(fā)展方向必然需要：1、具有適度規(guī)模的新技術(shù)，如黑硅、PERC、MWT、N-Si等等;2、薄硅片的使用;3、少銀或無銀電池的生產(chǎn)制造;4、更低的制造成本;5、易兼容其他產(chǎn)業(yè)化

據(jù)南京日托光伏科技股份有限公司董事長張鳳鳴博士介紹，常規(guī)電池片的正負(fù)電極分別位于電池片的正反兩面，而MWT電池片的正負(fù)電極均位于電池片的背面，這一技術(shù)被稱為MWT背面接觸技術(shù)。這一技術(shù)的實現(xiàn)需要：第一，在電池片上設(shè)計貫穿電池片的孔洞;第二，利用導(dǎo)電漿料將這些孔洞填充從而將正面的電極引到背面;第三，將引到背面的相應(yīng)區(qū)域與背面電場進行隔離。由于無主柵，電池遮光面積減少、正面銀漿消耗更低、具有更高的轉(zhuǎn)化效率。

解決了焊帶焊接的問題是MWT電池的明顯優(yōu)勢。據(jù)介紹，MWT焊帶的厚度大約在0.22毫米，目前使用的硅片的厚度大多在0.18-0.19毫米，因為硅片沒有柔性，經(jīng)焊帶實現(xiàn)的電池片之間的串聯(lián)產(chǎn)生的應(yīng)力影響了組件的可靠性，也帶來了組件封裝損失大、封裝密度低、外觀單一等問題。而MWT組件里電池片之間的串聯(lián)采用的是金屬導(dǎo)電線路，無應(yīng)力，可靠性好，封裝損失小，封裝密度高，外觀更美觀，電池柵線圖案可以定制化。其組件封裝類似于半導(dǎo)體集成電路的裝配技術(shù)。由于不使用焊帶，更薄的硅片得以使用。

同時，MWT技術(shù)具有兼容性，可以兼容單、多晶以及P型、N型，兼容黑硅、PERC等電池技術(shù)。張鳳鳴預(yù)計，在未來5-10年兼容的MWT產(chǎn)品將占據(jù)80%以上的市場份額。

可靠數(shù)據(jù)證實，在實際應(yīng)用中，MWT產(chǎn)品同樣表現(xiàn)優(yōu)異。在對MWT組件與常規(guī)組件的可靠性測試對比中發(fā)現(xiàn)，在相同老化條件下，MWT組件的衰減較常規(guī)組件減少一半以上，并且在三倍加嚴(yán)的測試條件下，均表現(xiàn)出優(yōu)異的抗老化性能。

2014年8月到2015年8月對應(yīng)用在光伏系統(tǒng)中的10個MWT多晶組件和10個常規(guī)多晶組件進行為期一年的對比實驗。一年后，實驗組件重新在完全一樣的測試條件下再次測試各項性能參數(shù)，結(jié)果顯示：經(jīng)過一年的運行，MWT背接觸組件的功率衰減為1.78W，常規(guī)組件的的功率衰減為4.58W，即MWT組件因無應(yīng)力導(dǎo)致發(fā)電能力高出1.1%，而因采用導(dǎo)電背板導(dǎo)致的較低工作溫度使得MWT組件的發(fā)電能力高出1.6%。因此，MWT組件的總體發(fā)電能力比常規(guī)組件高出3%左右。張鳳鳴介紹，常規(guī)組件每瓦系統(tǒng)年發(fā)電量一般在1-1.3度左右，考慮到衰減，采用常規(guī)組件的系統(tǒng)整個25年生命周期的總發(fā)電量為23-30度左右，而采用MWT組件的系統(tǒng)多發(fā)電量為0.69-0.9度。

MWT組件的綜合優(yōu)勢可以歸納為：功率更高;發(fā)電能力更強;可靠性更好;穩(wěn)定性更好;發(fā)電成本更低;未來具備進一步的降低成本的巨大潛力。

責(zé)任編輯：lixin

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