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硅晶體的制備與表征技術(shù)探究

2018-05-31 16:38:51 大云網(wǎng)  點擊量: 評論 (0)
本文嘗試對鑄錠多晶、鑄錠單晶和高效多晶的晶體微結(jié)構(gòu)、缺陷分布及生長機理等進行系統(tǒng)對比,分析晶體生長方式對晶體微結(jié)構(gòu)的作用規(guī)律。對現(xiàn)有及潛在的晶硅表征技術(shù),本文亦進行了詳細的討論。

PL技術(shù)以其無損、快速的特點,為研究者們探測硅片體內(nèi)的結(jié)構(gòu)提供了豐富的信息。比如,前文提到的在2011年以前晶體硅生長技術(shù)研究方向為大晶粒的研究誤區(qū),很大程度上是因為當時業(yè)內(nèi)缺乏PL這類快速的無損檢測技術(shù)所造成的。如何去量化各種缺陷,建立一種類似少子壽命的硅片質(zhì)量評價指標,是相關(guān)研究者們一直努力的方向。筆者認為,需要充分結(jié)合電池技術(shù)的貢獻,考慮吸雜和鈍化對不同缺陷弱化作用,來給予各種缺陷一個綜合的評價指標。

公式(2)

公式(2)中,xi代表某個種類的缺陷(或復(fù)合中心),Ri代表考慮了電池吸雜和鈍化后的缺陷復(fù)合能力權(quán)重,Ci代表某個種類缺陷的數(shù)量,Defect_index代表自定義的缺陷因子,是無量綱值。因為電池工藝的變化,公式(2)中的各個參數(shù)也可能會相應(yīng)進行調(diào)整,以達到評價因子與電池效率(特別是Uoc)之間的最佳關(guān)聯(lián)關(guān)系。

圖(4)相同200片硅片制備成電池的轉(zhuǎn)換效率分別與裸硅片少子壽命(a)和PL缺陷密度值(b)的關(guān)系圖

筆者曾對200片硅片的裸片少子壽命和PL缺陷因子進行了檢測,并制備成電池測試了電池效率,其對比結(jié)果如圖(4)所示。相比裸片少子壽命,從PL圖片中提煉出的缺陷密度值能更好地關(guān)聯(lián)電池效率。

3.2 硅片的晶向檢測技術(shù)

表(2)各種晶向檢測技術(shù)特征的歸納比較不同于單晶硅片單一的<100>晶向,多晶硅片的晶向是雜亂無章的。但研究者們對晶向與晶體缺陷生長之間關(guān)系的研究從來沒有停止過,F(xiàn)ujiwara和Nakajima[13]曾報道了通過控制<112>和<110>晶向能有效調(diào)控晶體生長初始階段的微結(jié)構(gòu)。但長期以來,受制于晶向檢測技術(shù)的限制,該方面的研究工作很難系統(tǒng)開展起來。

表(2)匯總歸納了幾種已有的晶向檢測技術(shù)及其特征,X射線衍射、中子衍射、選區(qū)電子衍射均因檢測區(qū)域太小或受系統(tǒng)消光規(guī)律的限制,很難應(yīng)用于晶向隨機且樣品尺寸較大的多晶硅片晶向檢測,背散射衍射技術(shù)雖然能觀察幾個平方厘米的晶向分布,但制樣復(fù)雜,難以推廣應(yīng)用。

FraunhoferTHM和IISB研究所在2014年推出了一種勞埃法的X射線衍射技術(shù),能對大尺寸的多晶硅片進行晶粒分布面掃描,是該探測領(lǐng)域的一大突破,但該技術(shù)存在檢測時間長(2~4h/pc)的缺點。最后一種光學(xué)反射方法是天合光能自主研發(fā)的可做晶向面掃的技術(shù),對比已有的X射線衍射和背散射電子衍射等,該方法具有耗時短、樣品處理簡單、測試面積大等優(yōu)點,非常適用于工業(yè)級的多晶硅晶向分析。

圖(5)是采用該方法針對一張多晶硅片晶向面掃描的結(jié)果。所有種類的晶向,按照彼此晶向夾角的差異,被人為地歸并為7個大類,并用不同的顏色標示,各個晶向所占的面積比例得以定量的量化。

圖(5)采用光學(xué)反射法測試得到的多晶硅片(10×10 cm)晶向面掃描圖

4. 總結(jié)和展望

在科學(xué)研究者們的不懈努力下,各種新型的光伏電池結(jié)構(gòu)和制備技術(shù)不斷涌現(xiàn),但無論是能革命硅晶體電池的Perovskite電池,還是CIGS、GaAs等薄膜電池,抑或是大幅減少硅用量的硅薄膜電池,短時間內(nèi)都無法撼動以晶體硅為基體的傳統(tǒng)光伏電池的主流地位,其他電池會因為其高效或柔性等特點應(yīng)用于特殊場合,作為晶硅電池的補充而長期存在。

對晶體硅這條奔騰不息的主流,其發(fā)展動態(tài)則很難進行預(yù)測。四年前,類單晶一度被看好,行業(yè)內(nèi)很少有人預(yù)測到類單晶的消失,同樣,也很少有人預(yù)測到高效多晶的到來,產(chǎn)業(yè)的發(fā)展受到眾多復(fù)雜因素(技術(shù)、設(shè)備、成本、市場等)的制約。未來晶體硅的發(fā)展方向是單晶、多晶還是類單晶?是P型還是N型?全依賴于晶硅如何與PERC、HIT或IBC等電池結(jié)構(gòu)進行有效匹配,如何能獲得更高功率更強可靠性的組件,以及如何為終端用戶提供更高的發(fā)電量。

但從短期看,有兩點可以確定:(1)高效多晶由于其比類單晶和鑄錠多晶更低的位錯密度,將會持續(xù)有廣闊的市場,其不斷優(yōu)化的工藝,還有進一步提升硅片質(zhì)量的前景;(2)在線多晶硅表征技術(shù)和設(shè)備的開發(fā),將為多晶電池和組件制造帶來效益,是科學(xué)研究者們努力的方向。

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責任編輯:蔣桂云

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