要有“中國芯”先要“中國造”
有效整合技術(shù)資源 提升企業(yè)創(chuàng)新能力
推進(jìn)裝備制造業(yè)進(jìn)步主要包括三個(gè)方面:一是提高產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力。在國際競爭中培育有條件的集成電路裝備、制造、材料企業(yè)成為世界級企業(yè),帶動產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展,產(chǎn)業(yè)綜合實(shí)力和科技創(chuàng)新能力進(jìn)入世界前列。二是提高科技創(chuàng)新能力。支持科研院所和高校,著力開展微電子前沿技術(shù)研究,加強(qiáng)技術(shù)儲備,引領(lǐng)我國微電子技術(shù)發(fā)展,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平與世界同步更新。三是提高機(jī)制創(chuàng)新能力。創(chuàng)造一個(gè)適應(yīng)產(chǎn)業(yè)國際化趨勢又具有中國特色的重大專項(xiàng)實(shí)施運(yùn)行機(jī)制,有效整合國際國內(nèi)技術(shù)資源,提高企業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新能力,培養(yǎng)世界一流集成電路產(chǎn)業(yè)人才隊(duì)伍。
實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)需要一系列的組織措施。一是進(jìn)行系統(tǒng)組織產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新,引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。首先應(yīng)圍繞龍頭企業(yè)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)鏈整合,按照上下游配套的方式進(jìn)行系統(tǒng)布局,以項(xiàng)目群方式支持協(xié)同創(chuàng)新研發(fā)。其次應(yīng)組織產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟,整合資源,共同發(fā)展,比如組成封測產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟、TSV研發(fā)聯(lián)合體、材料產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新聯(lián)盟等。
二是加強(qiáng)以企業(yè)為主體的產(chǎn)業(yè)研發(fā)聯(lián)盟組織建設(shè)。鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研用結(jié)合,鼓勵(lì)企業(yè)加強(qiáng)與院校合作,鼓勵(lì)院校圍繞企業(yè)需求開展技術(shù)攻關(guān)和創(chuàng)新研發(fā)工作。對競爭先導(dǎo)研發(fā)項(xiàng)目,以技術(shù)平臺和創(chuàng)新能力建設(shè)為核心,進(jìn)行整體布局和組織整合,組織國內(nèi)有優(yōu)勢的科研院所、高校與骨干企業(yè)組成全國性聯(lián)盟,建設(shè)世界水平的開放式創(chuàng)新基地,鼓勵(lì)科研院所和高校與企業(yè)建立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。
三是大力推進(jìn)知識產(chǎn)權(quán)戰(zhàn)略。在創(chuàng)新基礎(chǔ)上,鼓勵(lì)有策略的知識產(chǎn)權(quán)布局,形成“保護(hù)傘”,從“引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新”轉(zhuǎn)為“基于自主創(chuàng)新的國際合作”。結(jié)合產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟,推進(jìn)知識產(chǎn)權(quán)共享,形成專利池。
拋棄“替代戰(zhàn)略” 立足“協(xié)同創(chuàng)新”
當(dāng)然,目前仍然存在一些問題。一是國家對產(chǎn)業(yè)的投入不足。我國集成電路的整個(gè)產(chǎn)業(yè)規(guī)模小,基礎(chǔ)薄弱,產(chǎn)能嚴(yán)重不足的現(xiàn)狀,說到底還是投入嚴(yán)重不足。由于其他渠道投入少,致使科技專項(xiàng)實(shí)際上承擔(dān)了整個(gè)產(chǎn)業(yè)資源組織的主要平臺功能,超出了科技專項(xiàng)承載的范圍。我國集成電路產(chǎn)業(yè)還遠(yuǎn)未達(dá)到可以支撐自我良性發(fā)展的規(guī)模,還需要下戰(zhàn)略決心,加大產(chǎn)業(yè)投入。
二是從業(yè)企業(yè)缺乏辦企業(yè)的精神,活力不足。很多企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略不明晰,缺乏清晰的發(fā)展路線圖和差異化的產(chǎn)品規(guī)劃,產(chǎn)品碎片化、同質(zhì)化嚴(yán)重,沒有專職的研發(fā)機(jī)構(gòu),無力開展系統(tǒng)性的研發(fā)工作。企業(yè)內(nèi)部仍然依賴“人治”,缺乏現(xiàn)代企業(yè)機(jī)制保障和組織執(zhí)行力。
三是在系統(tǒng)-設(shè)計(jì)-制造-封測-裝備-材料的產(chǎn)業(yè)鏈條上,企業(yè)相互害怕,信心不足,存在下游欺負(fù)上游,一環(huán)怕一環(huán)的現(xiàn)象。
因此,中國集成電路制造的出路還在于“協(xié)同創(chuàng)新戰(zhàn)略”,拋棄“替代戰(zhàn)略”,從引進(jìn)消化吸收的受制于人中解脫出來,立足終端市場的產(chǎn)品定義,立足自主創(chuàng)新,立足上下游聯(lián)手,由一環(huán)怕一環(huán),變成一環(huán)拉一環(huán),才可能建立起真正的門檻,建立起差異化的競爭力,贏得發(fā)展主動權(quán)。(中科院葉甜春)
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我國IC制造產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新取得長足進(jìn)展
目前我國產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新已取得一定進(jìn)展。自2008年以來,我國針對集成電路先進(jìn)制造工藝和特色工藝做了重點(diǎn)布局,部分成果已形成產(chǎn)品進(jìn)入市場銷售和推廣應(yīng)用,在14nm~20nm先導(dǎo)研發(fā)上取得進(jìn)展,初步形成知識產(chǎn)權(quán)體系。22nm后高k工藝、嵌入式存儲器、DFM模塊形成解決方案,研制出與主流工藝兼容的FinFET原型器件(全后棚HKMG)。在22nm和14nm技術(shù)代,完成專利申請1500多項(xiàng)(包括美國專利500多項(xiàng))。
在高端封裝上實(shí)現(xiàn)跨越,一批高端封裝工藝開發(fā)成功,一些技術(shù)開始與國際領(lǐng)先廠商并駕齊驅(qū)。在高密度多層多芯片堆疊工藝技術(shù)上已達(dá)國際一流。8層及8層以上的芯片堆疊工藝技術(shù),芯片厚度僅75μm;多芯片、高密度封裝技術(shù),12英寸晶圓厚度減薄可達(dá)50μm,低焊線技術(shù)弧高低達(dá)30μm。
國產(chǎn)裝備實(shí)現(xiàn)從無到有的突破。2008年12英寸國產(chǎn)裝備是空白,當(dāng)時(shí)只有2種8英寸設(shè)備,至2013年已有3種65nm設(shè)備、2種28nm設(shè)備實(shí)現(xiàn)銷售,6種28nm設(shè)備驗(yàn)證接近完成。其中,前道裝備累計(jì)銷售168臺,后道封測設(shè)備累計(jì)銷售670臺(其中封裝光刻機(jī)銷售10臺),太陽能、LED裝備累計(jì)銷售390臺(套),零部件累計(jì)銷售3405件。上海中微的12英寸介質(zhì)刻蝕機(jī)進(jìn)入批量銷售;北方微12英寸硅刻蝕機(jī)、PVD進(jìn)入銷售,TSV封裝與LED系列裝備開始批量銷售;上海微電子封裝光刻機(jī)等產(chǎn)品進(jìn)入批量銷售;七星華創(chuàng)Low-k清洗機(jī)、氧化爐等產(chǎn)品開始進(jìn)入銷售;北京中科信12英寸注入機(jī)等產(chǎn)品開始用戶試用考核;上海睿勵(lì)的光學(xué)檢測設(shè)備等產(chǎn)品開始用戶試用考核。
總體上來說,隨著國家重大專項(xiàng)的實(shí)施,集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)取得長足進(jìn)步,產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新能力正在加速提升,產(chǎn)業(yè)鏈正在加速形成,一流的產(chǎn)業(yè)人才隊(duì)伍正在加速集聚,同時(shí)逐步摸索出一套適應(yīng)國情的聯(lián)合攻關(guān)方式,得到各方肯定,如組織“產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新聯(lián)盟”,按產(chǎn)業(yè)鏈模式組織攻關(guān);實(shí)行“用戶考核制”,下家考核上家、整機(jī)考核部件、市場考核產(chǎn)品。

責(zé)任編輯:何健
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